继tsmc和三星以后 格芯公布和美国军队协作出示国防军用集成ic

近日，全世界第四大晶圆代工厂格芯（GlobalFoundries）公布，将和美国外交部协作，从2023年逐渐在美国纽约市Fab 8工业区生产制造国防军用集成ic。它是继tsmc和三星以后，第三家与美国外交部开展协作的晶圆代工厂。

格芯强调，该企业以往和美国外交部协作已久，包括在集团旗下美国佛州Fab 9与纽约市的Fab 10生产制造别的路面设备所需集成ic，本次合作合同扩及至国防安全、航太与别的比较敏感运用集成ic所需。

早在2020年5月，tsmc2020年就和美国美国联邦政府及俄亥俄州一同公布，将在美国开设第二个生产制造产业基地，2020年开工后，总体目标2024年逐渐批量生产，2021年至2029年专案项目投资120亿美金，总体目标本厂5奈米工艺的月生产能力为2万片12吋圆晶。tsmc这一举动相传是为了更好地是相互配合美国顾客在本地国防科技集成ic的在地生产制造要求。

三星略逊一筹，于2020年末也向德州市提交申请奥斯汀十年期项目投资约170亿美金，用以改建芯片制造产业基地。根据三星向德州市明确提出的文档新闻资讯表明， 新加工厂会选用5nm工艺加工工艺，终端设备运用是国防安全有关伺服驱动器所需芯片加工。

根据美国外交部申明，与格芯的协议书是近期上议院多数党适用的《美国CHIPS法令》的基本进度，该法令主要是适用与提升美国国防安全供应链管理集成电路芯片的生产制造工作能力。