网曝ASML（阿斯麦）已基础进行 1nm 光刻技术设计方案

11月30日，日本媒体报导，因为新式新冠病毒的散播，最近日本国ITF于11月18日在日本日本东京举办了在网上新品发布会。

IMEC企业CEO兼首席总裁Luc Van den hove最先发布了主题风格演说，详细介绍了企业科学研究概述，他注重根据与ASML企业密不可分协作，将下一代高像素EUV光刻工艺——高NA EUV光刻工艺商业化的。IMEC企业注重，将再次把加工工艺经营规模变小到1nm及下列。

包含日本国以内的很多半导体公司陆续撤出了加工工艺微型化，宣称颠覆性创新早已走来到终点，也就是说成本费太高，徒劳无益。日本诸多光刻技术专用工具生产商竞相撤出EUV光刻技术设计阶段的另外，半导体材料科学研究组织IMEC和ASML一直在联合开发EUV光刻工艺，而EUV光刻工艺针对极细鱼鳞而言尤为重要。

在ITF Japan 2020上，IMEC明确提出了3nm、2nm、1.5nm及其1nm下列的逻辑性元器件微型化路线地图。

上行下行技术性连接点名字下标明的PP为光伏电池互联线的节径（nm），MP为细致金属材料的走线节径（nm）。必须留意的是，以往的技术性连接点指的是最少生产加工规格或栅极长短，如今仅仅“标识”，并不指某一部位的物理学长短。

据IMEC详细介绍，ASML早已完成了做为NXE:5000系列产品的高NA EUV曝出系统软件的基础设计方案，但商业化的方案在2023年上下。这套下一代系统软件将以其极大的光学系统而越来越十分又高又大，很有可能顶在传统式净化室的吊顶天花板下。

ASML以往一直与IMEC密不可分联合开发光刻工艺，但为了更好地开发设计应用高NA EUV光刻技术专用工具的光刻技术，在IMEC的产业园区里创立了新的“IMEC-ASML高NA EUV试验室”，以推动合作开发和开发设计应用高NA EUV光刻技术专用工具的光刻技术。该企业还方案与原材料经销商联合开发掩膜和抗蚀剂。 

Van den hove最终表明：“逻辑性元器件加工工艺微型化的目地是降低功耗、提升 特性、降低总面积、控制成本，也就是一般常说的PPAC。除开这四个总体目标外，伴随着微型化向3nm、2nm、1.5nm，乃至超过1nm，做到亚1nm，大家将努力创造绿色环保、合适可持续发展观社会发展的微控制器。”他表明，将再次着眼于加工工艺微型化，主要表现出了巨大的激情。