角逐升級！EUV光刻技术被抢疯掉：价格超飞机场

EUV光刻技术早已变成芯片制造的支撑，tsmc和三星等芯片加工这几年持续追求5nm和3nm等先进工艺，自身便是EUV光刻技术购置种植大户，再再加上如今这几个芯片加工陆续提产办厂，毫无疑问又增加了对EUV光刻技术的要求。

而如今除开芯片加工等逻辑性生产商以外，储存生产商也慢慢赶到光刻技术选用环节，乃至与ASML签订很多年的股票大单。EUV光刻技术的争霸战，慢慢日趋激烈。

芯片加工相拥EUV光刻技术，intel翻倍高度重视

好几个研究表明，在三大芯片加工中，intel是目前为止选购的 EUV专用工具相对性较少，而且并未逐渐选购这种极为价格昂贵、交货時间十分长、供货受到限制的系统软件。

据Mizuho Securities Asia Limited的一份有关ASML的汇报，其预测分析了EUV顾客tsmc、三星、intel的选购状况，如下图所显示，相对而言，intel处在落伍影响力，这与其说在加工工艺连接点的落伍相关。

ASML 公布，其在 2020 年交货了31台EUV专用工具。尽管这说明 EUV 已经做到完善，但仍小于其 35 台交货方案。殊不知，无法合格的一部分缘故是intel有章可循的 7nm 延迟时间：这降低了 ASML四个企业的销售量。

Mizuho证券股票科学研究可能

据统计，仅有这些 7nm 或下列的芯片加工才真真正正必须根据 EUV光刻技术。

而intel在3月份公布，将从2023年逐渐应用其7nm工艺生产制造用以手机客户端PC和高档网络服务器（开发设计编号为Meteor Lake和Granite Rapids）的CPU。

intel将耗资 200 亿美金在俄亥俄州创建2个领跑的生产制造加工厂，这将是“EUV 工作能力”，这代表着她们将可以生产制造7nm 及下列的集成ic。根据引进EUV光刻工艺，与此同时将生产制造业务外包给tsmc来转变态度，这好像是尝试复建企业內部开发设计和生产制造管理体系的试着。

而在日前参与摩根银行的大会时，CEO尼克松总统又表明，Intel将全方位相拥EUV光刻技术，大伙儿可以见到Intel对EUV加工工艺开展几代人重特大改善，也可以见到晶体三极管等级的重特大改善。这也是由于intel赶到7nm以后，将有更多晶体圆（集成ic中的层）应用 EUV 开展曝出。

而现阶段仅有十几个最重要的层应用 EUV 开展曝出，这就是intel“全方位相拥 EUV”的含意。

tsmc和三星俩家一直在追求先进工艺，在EUV光刻技术上的合理布局要超过intel。并且tsmc和三星均将在美国办厂，这种加工厂也都必须EUV光刻技术。

据wccftech的报导，tsmc的净化室经销商江西省汉唐信息系统集成有限责任公司在4月份发布的申明中，给予了相关tsmc美国芯片厂机器设备进度的一些基本关键点。该加工厂将建在俄亥俄州，也是intel的所在城市。汉唐老总陈朝水老先生简述了该加工厂的合同书将于7月进行，安装设备将于2022年9月逐渐。

fanuan System Technology是tsmc为西班牙ASML极紫外线(EUV)光刻技术生产制造部件的合作方，该企业也将派技术工程师前去俄亥俄州，预估该加工厂的营业收入将从2022年第三季度逐渐。可想，这个加工厂还要购置EUV光刻技术。

依据tsmc上月在其技术性讨论会上共享的详细资料，该芯片加工在全世界有着全部这种设备的一半，并承担上年全部根据 EUV 的集成ic的 65%的销售量。

2021年5月，据韩新闻媒体，三星电子已决策在得克萨斯州奥斯汀基本建设 EUV 半导体材料芯片加工，这将是该企业初次在首尔之外的我国有着 EUV 生产流水线。该企业作出这一决策是为了更好地达到对更小的集成ic日益提高的要求及其拜登美国总统资产重组所在国半导体材料供应链管理的方案。

企业方案2021年第三季度开工，2024年逐渐经营，据了解本厂将选用5nm工艺。该加工工艺是三星电子目前为止商业化的的最先进工艺。

除此之外，三星电子李在镕上年10月浏览了ASML，显而易见是为了更好地得到EUV光刻技术。而就在2021年5月，ASML与韩中间和当地政府签定了一份协议书，将项目投资2400万美元（2.11亿美金），到 2025 年在韩国京畿道华城创建 EUV 产业群。

伴随着intel逐渐全方位相拥EUV光刻技术，EUV光刻技术的争夺将更为日趋激烈。尽管ASML 已经扩张生产制造，但到迄今为止，她们只交货了100几台EUV设备，它是另一个潜在性的短板。

储存生产商也赶到EUV光刻技术时期

往日，逻辑性生产商在加工工艺上一直处在优秀影响力，也是应用EUV光刻技术的种植大户。可是如今储存生产商的发展趋势也赶到了应用EUV光刻技术环节。

先前一直表明不容易选用EUV光刻技术的美光，也撑不住赶到了EUV光刻技术时期，近日据报道，美光方案到 2024 在其生产制造加工厂中执行极紫外线 (EUV) 光刻技术，在1γ(Gamma)连接点的比较有限的叠加层数中布署 EUV，随后会将其拓展到具备更高层利用率的1δ(Delta)连接点。致力于根据容许生产制造更小的集成ic特点来维持颠覆性创新的存有。

美光首席战略官CEOSanjay Mehrotra在企业21财政年度第三季度财务报告会议电话上表明：“大家一直说大家会监管 EUV 的进度。大家事实上参加了 EUV 评定。大家以往应用过 EUV 专用工具。因此 大家一直说，在我们见到 EUV 服务平台及其生态体系越来越更为成熟时，大家将在大家的路线地图中阻拦 EUV。

美光已从 ASML 购买了多种多样 EUV 专用工具，”Mehrotra 确认。美光已将21财政年度的资本性支出提升到稍高于 95 亿美金，在其中就包括这种EUV的订金。

2021年2月1日，SK海力士进行第一个用以DRAM的EUV芯片加工，它于2年前逐渐修建，坐落于韩国京畿道利川产业园区的芯片加工名叫 M16，是该企业较大 的芯片加工。SK海力士初次为M16引入了EUV光刻技术机器设备。SK海力士方案应用顶尖机器设备从今年下半年逐渐生产制造第四代10纳米技术DRAM商品，即1a-nm DRAM。

此外，SK海力士已与 ASML签定了一份使用价值 4.75 万亿韩元（43 亿美金）的 5年合同书，以购置极紫外线 (EUV) 光刻技术系统软件，依照最优秀的EUV曝出机器设备预估每台约200亿日元，此次合同金额为购置20台之上的经营规模（付款额度包含安裝花费等）。

上年今年初，三星电子公布全世界初次开发设计根据 ArF-i 的 D1z DRAM 和各自运用其 EUVL 光刻技术 (EUVL) 的 D1z DRAM。2021年2月份，三星电子根据极紫外线（EUV）光刻工艺的1z-nm加工工艺的DRAM早已完成了批量生产。

半导体材料剖析组织TechInsights拆卸了选用EUV光刻工艺和ArF-i光刻工艺的三星1z-nm加工工艺DRAM，它觉得该技术性提高了三星的生产率，并减少了DRAM的关键规格。DRAM 单元尺寸和 D/R 放缩近期愈来愈难，但三星将 D1z 的 D/R 减少到 15.7 nm，比 D1y 变小了 8.2%。据统计，三星还将再次为下一代DRAM提升EUV流程。

到此，储存三巨头三星、SK海力士、美光早已加仓项目投资EUV光刻技术，EUV光刻技术要求持续提升，而ASML的生产能力比较有限，预估每家企业将争相购置机器设备。

“翘首以待”的下一代EUV光刻技术

很多年来，集成ic生产商应用根据电子光学的 193nm 光波长光刻技术扫描机来对集成ic中最优秀的作用开展图案化。根据多种图案化，集成ic生产商已将 193 纳米技术光刻工艺拓展到 10/7 纳米技术。

可是在 5nm 处，当今的光刻工艺早已丧失驱动力。因此 EUV光刻技术就被推上去历史的舞台，这将NA（breaking index）从大概 1.0 提升 到大概1.35纳米技术。

ASML的EUV光刻技术现阶段应用的或是第一代，EUV灯源光波长在13.5nm上下，目镜的NA数值孔径是0.33，发展趋势了一系列型号规格。可是，如今第一代的EUV光刻技术的NA指标值太低，分辨率不足。因此 在第一代EUV光刻技术你争我抢的局势下，下一代光刻技术也在被召唤。

在ASML的整体规划中，第二代EUV光刻技术的型号规格将是NXE：5000系列产品，其目镜的NA将提高到0.55，进一步提高光刻技术精密度，半导体材料加工工艺要想提升1nm制造，就务必靠下一代光刻技术。但是这也将更为价格昂贵，其成本费超出一架飞机，预估成本费超出 3 亿美金。

但下一代high-NA EUV 的演变却并不是那麼非常容易，将来加工工艺连接点向高数值孔径（“high NA”）光刻技术的衔接不但必须来源于系统供应商（比如 ASML）的巨大工程自主创新，还必须对适合的光刻技术原材料开展高級开发设计。EUV 光刻技术演变的一个常常被小看的层面是相对应光刻技术原材料的相对应开发设计工作中，找寻适合的光刻技术务必与系统软件开发与此同时开展。

High-NA EUV光刻技术系统软件将起源于N2、N2 技术性连接点，ASML预估将在2022年进行第一台High-NA EUV光刻技术系统软件的认证，并方案在2023年交由顾客。ASML公布，它如今预估High-NA 机器设备将在 2025 年或 2026 年（由其顾客）进到商业服务批量生产。如三星、tsmc和intel等的顾客们也一直号召开发设计High-NA 生态体系以防止耽误。

“痛”结：

虽然EUV也将被用以DRAM（尤其是1a技术性连接点及下列），但逻辑性优秀制造仍是关键需求者。殊不知在技术性冷暴力中，中国却无法得到这种EUV光刻技术。逻辑性制造已被卡在10nm等级，伴随着储存逐渐应用EUV光刻技术，中国倘若难以解决光刻技术的难题，那麼DRAM也将被卡。

据乔治城大学安全性与新起研究中心(Center for Security and Emerging Technology)科学研究投资分析师Will Hunt分辨：中国最少必须十年才可以独立生产制造相近的设备。

EUV光刻技术对中国而言事实上早已变成集成ic供应链管理的一个短板，它的开发设计和生产制造涉及到三大我国，它必须应用应用法国的反射镜片、及其在圣迭戈开发设计的硬件配置，这类硬件配置根据用激光器喷涌锡滴来造成光，而关键化工品和元器件则来源于日本。

从这当中还可以见到供应链管理的经济全球化水平，它是一切一个想独自一人在半导体材料行业获得大幅度发展的我国都必须应对的实际。