盛美半导体机器设备公布髙速铜电镀工艺技术性 提升 优秀封裝运用中的电镀铜速度和均一性

3月26日信息，做为半导体设备与优秀圆晶级封裝行业中领跑的机器设备供应商，盛美半导体机器设备前不久新公布了髙速铜电镀工艺技术性，该技术性可适用盛美丽的电镀设备ECP ap，适用铜，镍(Ni)和锡银(SnAg)电镀工艺的互联铜突点、重走线层和锡银电镀工艺，也有密度高的扇出(HDFO)优秀封裝商品的涨缩圆晶、铜、镍、锡银和金电镀工艺。该新式髙速电镀铜技术性使电镀铜腔在电镀工艺全过程中能够保证更强的品质传送。

Mordor Intelligence的汇报表明，扇出型封裝销售市场在2021年到2026年的预估复合型增长率(CAGR)可做到18%。汇报还强调，扇出技术性的普及化关键归功于成本费，稳定性和顾客采取。扇出型封裝比传统式的部分倒装集成电路芯片薄约20％之上，达到了智能机超薄外观设计对集成ic的规定。1

盛美半导体机器设备老总王晖表明：“三维电镀工艺运用最关键的挑戰之一便是，在深层超出200μm的深埋孔或管沟中做电镀工艺陶瓷膜时，必须保持高速和更强的均一性。迄今为止，以高电镀工艺率对突点开展铜电镀工艺会碰到对流传热限定，造成 堆积速度减少，并造成不匀称的突点顶端轮廊。大家新产品研发出的髙速电镀工艺技术性能够处理对流传热的难点，得到更强的突点顶端轮廊，还能在维持增产能的另外提高高宽比均一性，使盛美丽的电镀铜技术性进到全世界第一梯队。"

盛美半导体机器设备的髙速电镀工艺技术性能够在堆积铜覆亚膜时提高铜组正离子的品质传送，并以同样的电镀工艺率在全部圆晶上遮盖全部的突点，这就可以在髙速电镀工艺的情况下，使圆晶內部和集成ic內部完成更强的均一性。应用此项技术性解决的圆晶在同样电镀工艺速度下，比应用别的方式 的实际效果有显著的提升 ，可完成3％下列的圆晶级均一性，另外还能确保更强的共面特性和高些的生产能力。

盛美半导体机器设备已于2020年12月为其ECP ap系统更新了髙速电镀工艺技术性，并收到了第一笔配备髙速电镀工艺技术性的机器设备订单信息，该机器设备当月中下旬将被送至一家关键的中国优秀封装测试加工厂开展电脑装机并认证。